静电卡盘
主要用于半导体前道制程中的蚀刻、薄膜沉积、离子注入、灰化等核心关键工序。
采用静电吸附原理进行超薄洁净晶圆片的平整均匀夹持，具有吸附力均匀、无污染、无损以及可应用于高真空环境等特点。
材质为氧化铝陶瓷（库伦型，纯度96%、99.6%），可提供12英寸及其以内产品，工作温度-30～+180℃；陶瓷表面可开槽、压花，粗糙度可选。
主要用于半导体前道制程中的蚀刻、薄膜沉积、离子注入、灰化等核心关键工序。
采用静电吸附原理进行超薄洁净晶圆片的平整均匀夹持，具有吸附力均匀、无污染、无损以及可应用于高真空环境等特点。
材质为氧化铝陶瓷（库伦型，纯度96%、99.6%），可提供12英寸及其以内产品，工作温度-30～+180℃；陶瓷表面可开槽、压花，粗糙度可选。