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主要用于芯片前道制程中的光刻、量程、键合、退火等核心关键工序。
由高纯碳化硅粉烧结而成，具有杨氏模量高、组织致密均匀、热膨胀系数小、寿命长等特点，特别适用于吸附半导体片要求极高的平面度和极低的颗粒数量、金属离子污染的先进检测制程。
12英寸全局平整度≤0.3um，局部平整度≤0.1um；表面可涂覆高纯涂层；具有丰富的卡盘设计能力，能够应对翘曲0.8mm的晶圆；可满足先进制程洁净度要求。
