主要用于对半导体硅晶圆、化合物半导体晶圆（SiC、GaAs、GaP等）、氧化物半导体晶圆（LiTaO3 等）等半导体晶圆进行高效、精密划切，实现芯片单体化。
刀刃部分采用精密电铸工艺制备而成，刀刃厚度范围：10μm~100μm，微粉粒径范围：1500#~5000#。
拥有6档磨粒集中度等级，适用晶圆种类范围更广；具有出色的通用性，能够适应各种复杂场景的划切需求，包括切割道内含有金属、 Pl/PO等各类工况；在切割水含有CO2的环境中，表现出优秀的耐腐蚀性能；在划切超厚晶圆时（如晶圆级封装芯片），槽型可稳定保持垂直状态。
